Газофазная фторсилановая технология производства кремния
Газофазная фторсилановая технология производства кремния.
Солнечная энергетика - одна из наиболее динамично развивающихся областей промышленности. В будущем солнечное электричество станет доминирующим источником энергии во всем мире. Ставка на солнечную фотоэнергетику, как на абсолютно безопасный и неиссякаемый источник энергии - Солнце, должна рассматриваться как беспроигрышный и безальтернативный выбор человечества. Существующие в настоящее время технологии производства полупроводникового кремния были разработаны в 50-ых годах специалистами фирмы Сименс (Сименс-процесс). В производстве поликристаллического кремния по данной технологии используются высокотоксичные и взрывоопасные вещества: хлор, водород, хлористый водород, трихлорсилан. Кроме того, получение кремния по этой технологии связано с высокими энергозатратами : 360 - 400 кВт·час/кг, что и определяет стоимость конечного продукта. Перечисленные факторы являются причиной существования «кремниевой проблемы».
В течение ряда последних лет нами разработана новая газофазная фторсилановая технология получения полупроводникового кремния, в том числе и для солнечной энергетики. Технология основана на использовании дешевого доступного сырья – специфических промышленных отходов. Эти отходы содержат в своем составе кремний в виде фтористых соединений - фторсиликатов. Перевод гелиоэнергетики на нанокристаллический и монокристаллический кремний, получаемый через моносилан по разработанной технологии, обеспечивает снижение стоимости до 40 дол./кв.м., при этом стоимость вырабатываемой энергии может снизиться вплоть до 10 цент/кВт.час. Особо важным достоинством технологического процесса является, также, замкнутость технологического цикла (отсутствие продуктов подлежащих утилизации и отсутствие вредных выбросов).