Газофазная фторсилановая технология производства кремния.

Газофазная фторсилановая технология производства кремния.        

 Солнечная энергетика - одна из наиболее динамично развивающихся областей промышленности. В будущем солнечное электричество станет доминирующим источником энергии во всем мире. Ставка на солнечную фотоэнергетику, как на абсолютно безопасный и  неиссякаемый источник  энергии - Солнце, должна рассматриваться как беспроигрышный и безальтернативный выбор  человечества. Существующие в настоящее время технологии производства  полупроводникового кремния были разработаны в 50-ых годах специалистами фирмы Сименс (Сименс-процесс).  В  производстве поликристаллического кремния по данной технологии используются высокотоксичные и взрывоопасные вещества: хлор, водород, хлористый водород, трихлорсилан. Кроме того, получение кремния по этой технологии связано с высокими энергозатратами :  360 - 400 кВт·час/кг, что и определяет стоимость конечного продукта. Перечисленные факторы  являются причиной существования «кремниевой проблемы».

       В течение ряда последних лет нами разработана новая газофазная фторсилановая технология получения полупроводникового кремния, в том числе и для солнечной энергетики. Технология основана на использовании дешевого доступного сырья – специфических промышленных отходов. Эти отходы  содержат в своем составе кремний в виде фтористых соединений - фторсиликатов.  Перевод гелиоэнергетики на нанокристаллический и монокристаллический  кремний, получаемый через моносилан по разработанной технологии, обеспечивает снижение стоимости до 40 дол./кв.м., при этом стоимость вырабатываемой энергии может снизиться вплоть до 10 цент/кВт.час. Особо важным достоинством технологического процесса является, также, замкнутость технологического цикла (отсутствие продуктов подлежащих утилизации и отсутствие вредных  выбросов).

Яндекс.Метрика '